Näytetään tulokset 1 - 10 / 5561
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Amorphization of Silicon by High Dose Germanium Ion Implantation with no External Cooling Mechanism

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0169-4332(94)90021-3
Xia, Z.; Saarilahti, J.; Ristolainen, Eero O.; Eränen, Simo; Ronkainen, Hannu; Kuivalainen, P.; Pain...
Applied Surface Science1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Rapid thermal annealing of Si1-xGex layers formed by germanium ion implantation

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0168-583X(94)95320-1
Xia, Z.; Saarilahti, Jaakko; Ronkainen, H.; Eränen, S.; Suni, I.; Molarius, J.; Kuivalainen, P.; Ris...
NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B: BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ...1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Formation of excess donors during high-dose 74Ge+ Ion implantation

Vertaisarvioitu
Tuomi, T.; Xia, Z.; Ristolainen, E.; Elliman, R.; Ronkainen, H.; Eranen, S.; Kuivalainen, P.; Sopane...
-1995 Julkaisujen tiedon ikoni

Formation of 75As+-related excess donor effect during high-dose 74Ge+Ion implantation

Xia, Z.; Ristolainen, E.; Eränen, S.; Ronkainen, H.; Elliman, R.; Sopanen, M.; Tuomi, T.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Robustness of electrical quality of ion implanted black silicon emitters: Comparison between different ion implantation service providers

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.4229/EUPVSEC2024/1CV.2.19
Morozova, Olga; Chen, Kexun; Radfar, Behrad; Kentsch, Ulrich; Antwis, Luke; Savin, Hele; Vähänissi, ...
Proceedings (EU PVSEC)2024 Julkaisujen tiedon ikoni

(poster) Robustness of electrical quality of ion implanted black silicon emitters: Comparison between different ion implantation service providers

Avoin saatavuus
Morozova, Olga; Chen, Kexun; Radfar, Behrad; Kentsch, Ulrich; Antwis, Luke; Savin, Hele; Vähänissi, ...
Proceedings (EU PVSEC)2024 Julkaisujen tiedon ikoni

Rapid Thermal Annealing of Si(1-x)Ge(x) Layers Formed by Germanium Ion Implantation

Vertaisarvioitu
Xia, Z.; Saarilahti, J.; Ronkainen, H.; Eränen, S.; Suni, I.; Molarius, J.; Kuivalainen, P.; Ristola...
Nuclear Instruments and Methods1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0169-4332(94)90021-3
Xia, Z.; Saarilahti, Jaakko; Ristolainen, E.; Eränen, S.; Ronkainen, Hannu; Kuivalainen, Pekka; Pain...
Applied Surface Science1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Molecular dynamics simulation of helium ion implantation into silicon and its migration

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.nimb.2019.06.034
Liu, Lei; Xu, Zongwei; Li, Rongrong; Zhu, Rui; Xu, Jun; Zhao, Junlei; Wang, Chao; Nordlund, Kai; Fu,...
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and A...2019 Julkaisujen tiedon ikoni

Evolution of vacancy-related defects upon annealing of ion-implanted germanium

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.78.085202
Slotte, J.; Rummukainen, M.; Tuomisto, F.; Markevich, V.P.; Peaker, A.R.; Jeynes, C.; William, R.
Physical Review B2008

Amorphization of Silicon by High Dose Germanium Ion Implantation with no External Cooling Mechanism

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0169-4332(94)90021-3
1994

Rapid thermal annealing of Si1-xGex layers formed by germanium ion implantation

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0168-583X(94)95320-1
1994

Formation of excess donors during high-dose 74Ge+ Ion implantation

Vertaisarvioitu
1995

Formation of 75As+-related excess donor effect during high-dose 74Ge+Ion implantation

1994

Robustness of electrical quality of ion implanted black silicon emitters: Comparison between different ion implantation service providers

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.4229/EUPVSEC2024/1CV.2.19
2024

(poster) Robustness of electrical quality of ion implanted black silicon emitters: Comparison between different ion implantation service providers

Avoin saatavuus
2024

Rapid Thermal Annealing of Si(1-x)Ge(x) Layers Formed by Germanium Ion Implantation

Vertaisarvioitu
1994

Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/0169-4332(94)90021-3
1994

Molecular dynamics simulation of helium ion implantation into silicon and its migration

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.nimb.2019.06.034
2019

Evolution of vacancy-related defects upon annealing of ion-implanted germanium

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.78.085202
2008